Vishay Siliconix - SUM110N04-2M1P-E3

KEY Part #: K6401654

SUM110N04-2M1P-E3 Preços (USD) [2976pcs Estoque]

  • 800 pcs$1.34524

Número da peça:
SUM110N04-2M1P-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM110N04-2M1P-E3 Atributos do produto

Número da peça : SUM110N04-2M1P-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 18800pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D2Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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