Renesas Electronics America - RJK0301DPB-02#J0

KEY Part #: K6418999

RJK0301DPB-02#J0 Preços (USD) [86753pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.48047
  • 2,500 pcs$0.47808

Número da peça:
RJK0301DPB-02#J0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Renesas Electronics America RJK0301DPB-02#J0 electronic components. RJK0301DPB-02#J0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0301DPB-02#J0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0301DPB-02#J0 Atributos do produto

Número da peça : RJK0301DPB-02#J0
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : +16V, -12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5000pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 65W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-LFPAK
Pacote / caso : SC-100, SOT-669