TK14C65W5,S1Q Preços (USD) [36587pcs Estoque]
- 1 pcs$1.24527
- 50 pcs$1.23907
- Número da peça:
- TK14C65W5,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5,S1Q electronic components. TK14C65W5,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK14C65W5,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK14C65W5,S1Q Atributos do produto
Número da peça :
TK14C65W5,S1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 690µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
130W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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