Infineon Technologies - IPZ65R095C7XKSA1

KEY Part #: K6416757

IPZ65R095C7XKSA1 Preços (USD) [18330pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.50942
  • 240 pcs$2.49693

Número da peça:
IPZ65R095C7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V TO247-4.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ65R095C7XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPZ65R095C7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V TO247-4
Series : CoolMOS™ C7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 590µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2140pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 128W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-4
Pacote / caso : TO-247-4

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