Número da peça :
IPZ65R095C7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V TO247-4
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 590µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2140pF @ 400V
Dissipação de energia (máx.) :
128W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-4