TPH3208LSG Preços (USD) [8238pcs Estoque]
- 1 pcs$5.00194
- Número da peça:
- TPH3208LSG
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição detalhada:
- GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Transphorm TPH3208LSG electronic components. TPH3208LSG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3208LSG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH3208LSG Atributos do produto
Número da peça :
TPH3208LSG
Fabricante :
Transphorm
Descrição :
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
96W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
3-PQFN (8x8)
Pacote / caso :
3-PowerDFN
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