[92pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSO200P03SNTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO200P03SNTMA1 electronic components. BSO200P03SNTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO200P03SNTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO200P03SNTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSO200P03SNTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2330pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.56W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-DSO-8
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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