IPI60R099CPXKSA1 Preços (USD) [18572pcs Estoque]
- 1 pcs$2.21909
- 500 pcs$2.03582
- Número da peça:
- IPI60R099CPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 31A TO-262.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IPI60R099CPXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPI60R099CPXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
255W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO262-3
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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