SI3900DV-T1-GE3 Preços (USD) [203660pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18161
- 3,000 pcs$0.17054
- Número da peça:
- SI3900DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3 electronic components. SI3900DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3900DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI3900DV-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI3900DV-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
830mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
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