[12456pcs Estoque]
- Número da peça:
- PMF280UN,115
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PMF280UN,115 electronic components. PMF280UN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMF280UN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMF280UN,115 Atributos do produto
Número da peça :
PMF280UN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.02A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
340 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.89nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
45pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
560mW (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-323-3
Pacote / caso :
SC-70, SOT-323
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