STP33N60DM2 Preços (USD) [20330pcs Estoque]
- 1 pcs$1.79806
- 10 pcs$1.60591
- 100 pcs$1.31677
- 500 pcs$1.01158
- 1,000 pcs$0.85313
- Número da peça:
- STP33N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 24A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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STP33N60DM2 Atributos do produto
Número da peça :
STP33N60DM2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 24A
Series :
MDmesh™ DM2
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1870pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
190W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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