[4147pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSO330N02KGFUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1 electronic components. BSO330N02KGFUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO330N02KGFUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO330N02KGFUMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSO330N02KGFUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
730pF @ 10V
Potência - Max :
1.4W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-DSO-8
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