Infineon Technologies - IRF6619

KEY Part #: K6416334

IRF6619 Preços (USD) [60727pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.65079
  • 4,800 pcs$0.64755

Número da peça:
IRF6619
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6619 Atributos do produto

Número da peça : IRF6619
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta), 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.45V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5040pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MX
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MX