DMT8012LPS-13 Preços (USD) [191955pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19269
- 2,500 pcs$0.17054
- Número da peça:
- DMT8012LPS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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DMT8012LPS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMT8012LPS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 65A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1949pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI5060-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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