Infineon Technologies - IPB160N04S4H1ATMA1

KEY Part #: K6402046

IPB160N04S4H1ATMA1 Preços (USD) [82489pcs Estoque]

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Número da peça:
IPB160N04S4H1ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB160N04S4H1ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPB160N04S4H1ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 137nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10920pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 167W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-7-3
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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