IXYS - VMO1200-01F

KEY Part #: K6397731

VMO1200-01F Preços (USD) [623pcs Estoque]

  • 1 pcs$78.23939
  • 10 pcs$73.12420
  • 25 pcs$70.56740

Número da peça:
VMO1200-01F
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VMO1200-01F Atributos do produto

Número da peça : VMO1200-01F
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1220A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 mOhm @ 932A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 64mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2520nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Y3-Li
Pacote / caso : Y3-Li

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