ON Semiconductor - FDA18N50

KEY Part #: K6398026

FDA18N50 Preços (USD) [29043pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.37498
  • 10 pcs$1.24189
  • 100 pcs$0.94662
  • 500 pcs$0.73627
  • 1,000 pcs$0.61005

Número da peça:
FDA18N50
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDA18N50 Atributos do produto

Número da peça : FDA18N50
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
Series : UniFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 265 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2860pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 239W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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