Rohm Semiconductor - QS8J11TCR

KEY Part #: K6525477

QS8J11TCR Preços (USD) [486582pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07602
  • 3,000 pcs$0.06406

Número da peça:
QS8J11TCR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS8J11TCR Atributos do produto

Número da peça : QS8J11TCR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 6V
Potência - Max : 550mW
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT8

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