IRFB4110PBF Preços (USD) [21647pcs Estoque]
- 1 pcs$1.44109
- 10 pcs$1.28640
- 100 pcs$1.00060
- 500 pcs$0.81025
- 1,000 pcs$0.68334
- Número da peça:
- IRFB4110PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFB4110PBF electronic components. IRFB4110PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4110PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB4110PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFB4110PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9620pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
370W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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