IPP530N15N3GXKSA1 Preços (USD) [51954pcs Estoque]
- 1 pcs$0.75258
- Número da peça:
- IPP530N15N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1 electronic components. IPP530N15N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP530N15N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP530N15N3GXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP530N15N3GXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
887pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
68W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3-1
Pacote / caso :
TO-220-3
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