IXYS - IXFP34N65X2

KEY Part #: K6398661

IXFP34N65X2 Preços (USD) [17578pcs Estoque]

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  • 100 pcs$1.88818
  • 500 pcs$1.52896
  • 1,000 pcs$1.28949

Número da peça:
IXFP34N65X2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 34A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP34N65X2 Atributos do produto

Número da peça : IXFP34N65X2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3330pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 540W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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