Nexperia USA Inc. - NX7002BKMBYL

KEY Part #: K6421685

NX7002BKMBYL Preços (USD) [1696687pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.02659

Número da peça:
NX7002BKMBYL
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NX7002BKMBYL Atributos do produto

Número da peça : NX7002BKMBYL
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 350mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 23.6pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1006B-3
Pacote / caso : 3-XFDFN

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