PMZB200UNEYL Preços (USD) [1283576pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02896
- 10,000 pcs$0.02882
- Número da peça:
- PMZB200UNEYL
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V SOT883.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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PMZB200UNEYL Atributos do produto
Número da peça :
PMZB200UNEYL
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V SOT883
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
89pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN1006B-3
Pacote / caso :
3-XFDFN
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