Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J130TU,LF

KEY Part #: K6416918

SSM3J130TU,LF Preços (USD) [603363pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06777
  • 3,000 pcs$0.06743

Número da peça:
SSM3J130TU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J130TU,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM3J130TU,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : UFM
Pacote / caso : 3-SMD, Flat Leads

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