Rohm Semiconductor - RZQ050P01TR

KEY Part #: K6405355

RZQ050P01TR Preços (USD) [332460pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.12238

Número da peça:
RZQ050P01TR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RZQ050P01TR Atributos do produto

Número da peça : RZQ050P01TR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2850pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 600mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT6 (SC-95)
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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