Infineon Technologies - IPZ60R037P7XKSA1

KEY Part #: K6401418

IPZ60R037P7XKSA1 Preços (USD) [3057pcs Estoque]

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  • 10 pcs$5.12622
  • 100 pcs$4.21472
  • 500 pcs$3.53125

Número da peça:
IPZ60R037P7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ60R037P7XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPZ60R037P7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Series : CoolMOS™ P7
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1.48mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 121nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5243pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 255W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-4
Pacote / caso : TO-247-4