DMG3415UFY4Q-7 Preços (USD) [530436pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06973
- 3,000 pcs$0.06281
- Número da peça:
- DMG3415UFY4Q-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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DMG3415UFY4Q-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMG3415UFY4Q-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
16V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
282pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
650mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X2-DFN2015-3
Pacote / caso :
3-XDFN
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