IRF200P222 Preços (USD) [5393pcs Estoque]
- 1 pcs$7.64174
- 400 pcs$4.79194
- Número da peça:
- IRF200P222
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF200P222 electronic components. IRF200P222 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF200P222, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF200P222 Atributos do produto
Número da peça :
IRF200P222
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Series :
StrongIRFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
182A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 82A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
203nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9820pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
556W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AC
Pacote / caso :
TO-247-3
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