Infineon Technologies - IPT012N08N5ATMA1

KEY Part #: K6401984

IPT012N08N5ATMA1 Preços (USD) [23936pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.72178
  • 2,000 pcs$1.70854

Número da peça:
IPT012N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPT012N08N5ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPT012N08N5ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 280µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 223nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 17000pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-HSOF-8-1
Pacote / caso : 8-PowerSFN

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