IXKC23N60C5 Preços (USD) [13497pcs Estoque]
- 1 pcs$3.52923
- 50 pcs$3.51167
- Número da peça:
- IXKC23N60C5
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXKC23N60C5 electronic components. IXKC23N60C5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKC23N60C5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXKC23N60C5 Atributos do produto
Número da peça :
IXKC23N60C5
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS220™
Pacote / caso :
ISOPLUS220™
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