Diodes Incorporated - DMN2230UQ-7

KEY Part #: K6411715

DMN2230UQ-7 Preços (USD) [674610pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05483
  • 3,000 pcs$0.04939

Número da peça:
DMN2230UQ-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2230UQ-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN2230UQ-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 188pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 600mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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