TK3R1P04PL,RQ Preços (USD) [173959pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21262
- Número da peça:
- TK3R1P04PL,RQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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TK3R1P04PL,RQ Atributos do produto
Número da peça :
TK3R1P04PL,RQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Series :
U-MOSIX-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4670pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
87W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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