IXTH120P065T Preços (USD) [19066pcs Estoque]
- 1 pcs$2.49827
- 30 pcs$2.48584
- Número da peça:
- IXTH120P065T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 65V 120A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IXTH120P065T Atributos do produto
Número da peça :
IXTH120P065T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Series :
TrenchP™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
65V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
185nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
298W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 (IXTH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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