ON Semiconductor - FDMS86263P

KEY Part #: K6395265

FDMS86263P Preços (USD) [80739pcs Estoque]

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Número da peça:
FDMS86263P
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86263P Atributos do produto

Número da peça : FDMS86263P
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3905pF @ 75V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN