IPN60R3K4CEATMA1 Preços (USD) [514616pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07187
- 3,000 pcs$0.06317
- Número da peça:
- IPN60R3K4CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1 electronic components. IPN60R3K4CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN60R3K4CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPN60R3K4CEATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPN60R3K4CEATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
93pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
5W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223
Pacote / caso :
SOT-223-3
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