Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB190CM2 RNG

KEY Part #: K6399300

TSM60NB190CM2 RNG Preços (USD) [62761pcs Estoque]

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Número da peça:
TSM60NB190CM2 RNG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 18A TO263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB190CM2 RNG Atributos do produto

Número da peça : TSM60NB190CM2 RNG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1273pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150.6W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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