Diodes Incorporated - DMT3009LFVW-7

KEY Part #: K6402006

DMT3009LFVW-7 Preços (USD) [343222pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10777

Número da peça:
DMT3009LFVW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 25V 30V POWERDI333.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT3009LFVW-7 Atributos do produto

Número da peça : DMT3009LFVW-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 25V 30V POWERDI333
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 3.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 823pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8 (Type UX)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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