NTMS5P02R2G Preços (USD) [325745pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11412
- 2,500 pcs$0.11355
- Número da peça:
- NTMS5P02R2G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTMS5P02R2G electronic components. NTMS5P02R2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS5P02R2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMS5P02R2G Atributos do produto
Número da peça :
NTMS5P02R2G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.95A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 16V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
790mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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