ON Semiconductor - FCH060N80-F155

KEY Part #: K6398681

FCH060N80-F155 Preços (USD) [8984pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.58718

Número da peça:
FCH060N80-F155
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 56A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH060N80-F155 Atributos do produto

Número da peça : FCH060N80-F155
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 5.8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14685pF @ 100V
Recurso FET : Super Junction
Dissipação de energia (máx.) : 500W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 Long Leads
Pacote / caso : TO-247-3

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