IXKC25N80C Preços (USD) [7030pcs Estoque]
- 1 pcs$6.48039
- 50 pcs$6.44815
- Número da peça:
- IXKC25N80C
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXKC25N80C electronic components. IXKC25N80C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKC25N80C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXKC25N80C Atributos do produto
Número da peça :
IXKC25N80C
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4600pF @ 25V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS220™
Pacote / caso :
ISOPLUS220™
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