ON Semiconductor - NTD3055L104T4G

KEY Part #: K6418032

NTD3055L104T4G Preços (USD) [383221pcs Estoque]

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Número da peça:
NTD3055L104T4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD3055L104T4G Atributos do produto

Número da peça : NTD3055L104T4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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