Nexperia USA Inc. - PSMN1R5-30BLEJ

KEY Part #: K6418188

PSMN1R5-30BLEJ Preços (USD) [54990pcs Estoque]

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  • 800 pcs$0.69541

Número da peça:
PSMN1R5-30BLEJ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R5-30BLEJ Atributos do produto

Número da peça : PSMN1R5-30BLEJ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 228nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14934pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 401W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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