BUK6607-55C,118 Preços (USD) [145376pcs Estoque]
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- Número da peça:
- BUK6607-55C,118
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BUK6607-55C,118 electronic components. BUK6607-55C,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK6607-55C,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BUK6607-55C,118 Atributos do produto
Número da peça :
BUK6607-55C,118
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5160pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
158W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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