Toshiba Semiconductor and Storage - TPN11003NL,LQ

KEY Part #: K6421270

TPN11003NL,LQ Preços (USD) [413445pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09890
  • 3,000 pcs$0.09841

Número da peça:
TPN11003NL,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL,LQ electronic components. TPN11003NL,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN11003NL,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN11003NL,LQ Atributos do produto

Número da peça : TPN11003NL,LQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN