IXYS - IXTQ110N055P

KEY Part #: K6417432

IXTQ110N055P Preços (USD) [31018pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.46896
  • 30 pcs$1.46166

Número da peça:
IXTQ110N055P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ110N055P Atributos do produto

Número da peça : IXTQ110N055P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
Series : PolarHT™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2210pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 390W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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