Microsemi Corporation - APT22F100J

KEY Part #: K6394514

APT22F100J Preços (USD) [2817pcs Estoque]

  • 1 pcs$15.37809
  • 15 pcs$15.37785

Número da peça:
APT22F100J
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT22F100J Atributos do produto

Número da peça : APT22F100J
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9835pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 545W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOTOP®
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC