Vishay Siliconix - SI5905BDC-T1-GE3

KEY Part #: K6524007

[4657pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI5905BDC-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5905BDC-T1-GE3 electronic components. SI5905BDC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5905BDC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5905BDC-T1-GE3 Atributos do produto

    Número da peça : SI5905BDC-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 4V
    Potência - Max : 3.1W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™