RW1A030APT2CR Preços (USD) [838004pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04879
- 8,000 pcs$0.04855
- Número da peça:
- RW1A030APT2CR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR electronic components. RW1A030APT2CR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RW1A030APT2CR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RW1A030APT2CR Atributos do produto
Número da peça :
RW1A030APT2CR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
-8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-WEMT
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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