PMPB10XNEAX Preços (USD) [460446pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08033
- Número da peça:
- PMPB10XNEAX
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMPB10XNEAX electronic components. PMPB10XNEAX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB10XNEAX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMPB10XNEAX Atributos do produto
Número da peça :
PMPB10XNEAX
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
0.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2.175nF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN2020MD-6
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
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