[295pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPU30N03S2-08
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 30A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPU30N03S2-08 electronic components. SPU30N03S2-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPU30N03S2-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPU30N03S2-08 Atributos do produto
Número da peça :
SPU30N03S2-08
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 85µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2170pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
P-TO251-3-1
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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