Infineon Technologies - SN7002NH6327XTSA2

KEY Part #: K6417132

SN7002NH6327XTSA2 Preços (USD) [1250285pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02958
  • 3,000 pcs$0.02001

Número da peça:
SN7002NH6327XTSA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SN7002NH6327XTSA2 Atributos do produto

Número da peça : SN7002NH6327XTSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Series : Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 26µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 45pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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